其中，“年产36万片12英寸芯片生产线项目”建成后将形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线，用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品;“SiC功率器件生产线建设项目”达产后将新增年产14.4万片SiC-MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力;“汽车半导体封装项目(一期)”达产后将实现年产720万块汽车级功率模块的新增产能。
上述项目建设系公司在高端功率半导体领域的核心战略规划之一，是公司积极推进产品结构升级转型的重要举措。公司将充分利用自身在车规和工业级功率半导体器件与模块领域的技术优势和IDM模式下的长期积累，把握当前汽车和新能源产业快速发展的机遇，进一步加快产品结构调整步伐，扩大公司功率芯片产能规模、销售占比和成本优势，不断提升市场份额和盈利能力。
半导体行业属于典型的技术密集型和资本密集型行业。作为IDM企业，公司具有资产相对偏重的特征，为满足产业链中下游客户强劲的产品需求，保障公司的业务拓展、产品迭代和产线建设，公司需要持续的研发投入和大量的流动资金支持。
通过本次非公开发行募集资金补充流动资金，一方面，可以满足公司业务持续发展需要，提升公司核心竞争力，巩固公司龙头地位;另一方面，可以缓解公司流动资金压力，优化公司资产负债结构，降低公司财务风险，提高公司资金使用的灵活性。
